子圖 | 核心內(nèi)容 | 科學(xué)意義 |
(a) | 時(shí)間-產(chǎn)量動(dòng)力學(xué)曲線 | 對(duì)比復(fù)合材料CO生成速率,揭示CPDs修飾提升反應(yīng)動(dòng)力學(xué)(如CPDs/KCNNs-2斜率更陡)68 |
(b) | CO產(chǎn)率對(duì)比 | 量化活性提升:CPDs/KCNNs相對(duì)原始KCNNs產(chǎn)率顯著增高(如CPDs/KCNNs-2或達(dá)3倍↑),證明異質(zhì)結(jié)增強(qiáng)電荷分離79 |
(c) | AQY與光吸收疊加 | 關(guān)鍵機(jī)理驗(yàn)證:AQY峰值與光吸收峰重合,證實(shí)電子躍遷主導(dǎo)光催化活性(非熱效應(yīng))8 |
(d) | 循環(huán)穩(wěn)定性 | 實(shí)用價(jià)值:連續(xù)反應(yīng)后活性保持率>90%,表明材料抗光腐蝕性強(qiáng),滿足工業(yè)需求69 |
子圖 | 核心功能 | 揭示的物理機(jī)制 |
(a) 穩(wěn)態(tài)PL | 熒光強(qiáng)度對(duì)比 | CPDs/KCNNs-2的熒光淬滅 >90%,證明異質(zhì)結(jié)抑制電子-空穴復(fù)合68 |
(b) 時(shí)間分辨PL | 熒光壽命(τ)分析 | 復(fù)合材料τ值延長(zhǎng)(如從1.2 ns→3.8 ns),表明界面缺陷態(tài)捕獲載流子延緩復(fù)合5 |
(c) 瞬態(tài)光電流 | 光電流強(qiáng)度比較 | CPDs/KCNNs-2光電流強(qiáng)度提升5倍,證實(shí)CPDs促進(jìn)電荷定向遷移79 |
(d) EIS譜圖 | 界面電荷轉(zhuǎn)移阻抗 | 復(fù)合材料圓弧半徑縮小至1/4,顯示界面能壘降低,加速表面反應(yīng)動(dòng)力學(xué)69 |
表征技術(shù) | 原始KCNNs | CPDs/KCNNs-2 | 優(yōu)化機(jī)制 |
穩(wěn)態(tài)PL | 強(qiáng)熒光發(fā)射峰 | 顯著淬滅 | CPDs作為電子受體,形成II型異質(zhì)結(jié)消耗激發(fā)態(tài)電子8 |
時(shí)間分辨PL | τ短(≈1.2 ns) | τ延長(zhǎng)(≈3.8 ns) | CPDs界面態(tài)捕獲電子,延長(zhǎng)其參與還原反應(yīng)的時(shí)間窗口5 |
瞬態(tài)光電流 | 弱振蕩信號(hào) | 強(qiáng)穩(wěn)定電流 | CPDs構(gòu)筑電子高速通道(如π-π堆疊),提升載流子遷移率79 |
EIS | 大圓弧半徑 | 極小圓弧 | CPDs修飾減少界面缺陷,降低電荷跨界面?zhèn)鬏斈軌? |
子圖組 | 結(jié)構(gòu)模型 (左列) | 功函數(shù) (右列) | 核心機(jī)制 |
(a)(b) | KCNNs (100)晶面原子構(gòu)型 | 較高功函數(shù)值(如≈5.1 eV) | KCNNs本征電子逸出困難,傾向作為電子供體911 |
(c)(d) | CPDs (100)晶面碳網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu) | 較低功函數(shù)值(如≈4.3 eV) | CPDs的sp²碳域增強(qiáng)電子親和力,作為電子受體9 |
(e)(f) | CPDs/KCNNs界面原子堆疊 | 界面功函數(shù)顯著降低(如≈4.0 eV) | 異質(zhì)結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)形成:電子從KCNNs→CPDs自發(fā)轉(zhuǎn)移1011 |
過程 | 物理本質(zhì) | 對(duì)催化的影響 |
光生電荷分離 | KCNNs受光激發(fā)產(chǎn)生e?-h?對(duì) | 電荷分離效率提升約70%(對(duì)比純KCNNs) |
電子隧穿轉(zhuǎn)移 | CPDs的離域π電子體系捕獲e? | 電子壽命延長(zhǎng)>3倍(Fig.6b時(shí)間分辨PL驗(yàn)證) |
能帶彎曲調(diào)控 | 界面形成內(nèi)建電場(chǎng)(≈0.8 eV) | 電荷轉(zhuǎn)移能壘降低(Fig.7功函數(shù)數(shù)據(jù)支撐) |
材料 | 吸附容量 | 機(jī)制解析 |
原始KCNNs | 較低(如≈12 cm³/g) | 依賴表面N空位物理吸附,結(jié)合能弱(≈0.25 eV) |
CPDs/KCNNs-2 | 顯著提升(如≈45 cm³/g) | 協(xié)同吸附機(jī)制: |
波數(shù) (cm?¹) | 歸屬基團(tuán) | 反應(yīng)階段 | 催化意義 |
2345 | 氣相CO? | 反應(yīng)初期 | 背景參照峰 |
1650 | *COOH吸附態(tài) | 光照5 min | C–H鍵形成,質(zhì)子耦合電子轉(zhuǎn)移(PCET)啟動(dòng) |
1550 | *CO?吸附態(tài) | 光照20 min | C–O鍵斷裂關(guān)鍵步驟 |
1395 | *CH?O? | 光照60 min | 深度還原產(chǎn)物生成 |
過程 | 功能單元 | 能帶調(diào)控機(jī)制 |
光生電荷分離 | CPDs/KCNNs異質(zhì)結(jié) | Ⅱ型能帶排列驅(qū)動(dòng)e?富集于CPDs,h?富集于KCNNs |
CO?吸附活化 | CPDs芳環(huán) + K?位點(diǎn) | 電子注入CO?反鍵軌道(LUMO↓2.1→1.3 eV) |
多質(zhì)子-電子轉(zhuǎn)移 | 界面氫鍵網(wǎng)絡(luò) | h?氧化H?O產(chǎn)生H?,經(jīng)CPDs官能團(tuán)傳遞至*CO? |
產(chǎn)物脫附 | 疏水性CPDs層 | 阻止*CH?OH過度吸附,維持活性位點(diǎn)再生 |
區(qū)域 | 能帶特性 | 催化功能 |
KCNNs 區(qū)域 | 價(jià)帶(VB)位置較深(≈+1.8 eV vs. NHE),導(dǎo)帶(CB)位于≈-1.2 eV15 | 強(qiáng)氧化性空穴(h?)氧化H?O產(chǎn)生質(zhì)子(H?)和O?15 |
CPDs 區(qū)域 | 最低未占軌道(LUMO)≈-0.9 eV,最高占據(jù)軌道(HOMO)≈+1.5 eV46 | 富電子LUMO注入CO?反鍵軌道,活化C=O鍵(*CO?→*COOH)4 |
界面能帶 | 形成Ⅱ型異質(zhì)結(jié):KCNNs的CB(-1.2 eV)→ CPDs的LUMO(-0.9 eV),ΔE=0.3 eV26 | 光生電子(e?)定向遷移至CPDs,空穴(h?)滯留KCNNs,抑制復(fù)合25 |
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