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西北工業(yè)大學(xué)Hejun Li等--具有多尺度損耗相的 SiCnws/CNTs/Cf-C/SiOC 復(fù)合材料,可同時(shí)吸收電磁波并實(shí)現(xiàn)隔熱
       碳纖維增強(qiáng)碳基復(fù)合材料被認(rèn)為是一種理想的輕質(zhì)材料,具有出色的高溫機(jī)械性能。然而,它們的高導(dǎo)電性導(dǎo)致隱身應(yīng)用對(duì)電磁波 (EMW) 的強(qiáng)烈反射而不是吸收。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn),通過(guò)前體衍生法制造了一種由多尺度損耗相(碳納米管 (CNTs)、SiC 納米線 (SiCnws) 和碳纖維 (Cf))和阻抗匹配相(SiOC 陶瓷)制成的新型碳基復(fù)合材料。制備的 SiCnws/CNTs/Cf-C/SiOC (SCC-CS) 復(fù)合材料在厚度為 1.9 mm 時(shí)表現(xiàn)出 2.4 GHz 的有效吸收 (EAB) 和 X 波段的最小反射損耗 (RLmin) 為 −58.44 dB(99% 吸收)。復(fù)合材料的 EMW 吸收歸因于復(fù)合材料中的多導(dǎo)電相和 SiOC 引起的多種損耗機(jī)制和與自由空間的良好阻抗匹配。此外,制備的復(fù)合材料還具有隔熱性能,并能有效實(shí)現(xiàn)雷達(dá)截面(RCS)減縮,是一種很有前途的結(jié)構(gòu)與功能一體化航空航天復(fù)合材料。
 
圖 1. SiCnws/CNTs/Cf-C/SiOC 復(fù)合材料的制備過(guò)程圖。
 
圖2 不同呋喃樹脂、SiOC、SiCnws/CNTs/CFs@SiOC含量的SCC-CS復(fù)合材料的XRD譜圖(a、b) 不同呋喃樹脂、SiOC、SiCnws/CNTs/CFs@SiOC含量的樣品的拉曼譜圖(c、d)。
 
圖 3. SCC-CS 復(fù)合材料的表面形貌(a–c)。SCC-CS 復(fù)合材料的高倍放大圖像(d)以及相應(yīng)的 C、Si 和 O 元素分布(e–g)。SCC-CS 復(fù)合材料的 TEM 圖像(h–m)。插圖為相應(yīng)的 SAED 圖像和放大圖。
 
圖 4. 樣品 SCC-CS-1 (a, b)、SCC-CS-2(d, e)、SCC-CS-3(g, h) 和 SCC-CS-4(j, k) 在不同頻率和厚度下計(jì)算出的理論 RL 值和相應(yīng)投影圖的 3D 圖。樣品特定厚度的 RL 值與頻率的關(guān)系 (c) SCC-CS-1、(f) SCC-CS-2、(i) SCC-CS-3 和 SCC-CS-4 (l)。
 
 
圖 5. 樣品 SCC-CS-5 (a, b)、SCC-CS-6 (d, e)、SCC-CS-7 (g, h) 和 SCC-CS-8 (j, k) 在不同頻率和厚度下計(jì)算出的理論 RL 值和相應(yīng)投影圖的 3D 圖。樣品特定厚度的 RL 值與頻率的關(guān)系 (c) SCC-CS-5、(f) SCC-CS-6、(i) SCC-CS-7 和 SCC-CS-8 (l)。
 
 
圖 6. SCC-CS 復(fù)合材料的 ε′ (a)、ε′′ (b) 和 tan δ (c) 值隨頻率的變化。實(shí)部和虛部介電常數(shù)之間的關(guān)系 (d、e)。直流電導(dǎo)率 (f)。反射損耗 (g)、衰減常數(shù) (h) 和阻抗匹配特性 Z (i) 的比較。
 
相關(guān)科研成果由西北工業(yè)大學(xué)Hejun Li等人于2024年發(fā)表在Journal of Materiomics(https://doi.org/10.1016/j.jmat.2024.04.010)上。原文:SiCnws/CNTs/Cf-C/SiOC composites with multi-scale lossy phases for simultaneous electromagnetic wave absorption and thermal insulation
原文鏈接:https://doi.org/10.1016/j.jmat.2024.04.010
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