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中南大學Xinghua Chang和青島大學Xingyun Li--界面共價鍵合賦予Ti3C2-Sb2S3復合材料高儲鈉性能
       硫化銻因其作為鈉離子電池(SIBs)陽極的卓越理論性能而備受關注。但其結構穩(wěn)定性差,反應動力學緩慢。構建共價化學鏈將硫化銻固定在二維導電材料上是克服這一挑戰(zhàn)的有效策略。通過Ti-O-Sb和S-Ti的共價鍵合,將單分散的Sb2S3均勻固定在Ti3C2Tx MXene表面,制備了Ti3C2-Sb2S3復合材料。Ti3C2Tx MXene既可作為電荷存儲貢獻者,又可作為柔性導電緩沖,以保持電極的結構完整性。系統(tǒng)分析表明,高效界面化學連接的構建可以橋接Sb2S3納米粒子與Ti3C2Tx MXene之間的物理間隙,從而提高界面電荷轉移效率。此外,界面共價鍵還可以有效地限制Sb2S3納米顆粒及其相應的還原產物在Ti3C2Tx MXene表面的形成。得益于其獨特的結構,Ti3C2-Sb2S3陽極在0.2 a g-1循環(huán)300次后,可提供475 mAh g-1的高可逆容量,甚至在1.0 a g-1循環(huán)500次后仍保持410 mAh g-1。這一策略有望為SIBs的界面化學連接的合理設計提供更多的線索。
 
  
圖1 Ti3C2-Sb2S3復合材料制備示意圖
 
 
圖2。低聚Ti3C2Tx MXene的SEM (a,b)和TEM (c)圖像。Ti3C2-Sb2S3復合材料的SEM (d,e)和TEM (f,g)圖像。h) Ti3C2-Sb2S3復合材料的HRTEM圖像和i)含有重疊、Ti、C、Sb和S (i1 i5)元素映射圖像的HADDF圖像。
 
  
圖3 (a) Ti3C2Tx MXene、Sb2S3粒子和Ti3C2-Sb2S3復合材料的XRD譜圖和(b)拉曼光譜。(c,d)不同區(qū)域的拉曼光譜比較。(e)不同樣品的TG曲線和f) FT-IR譜圖。
 
 
圖4。(a) Sb 3d, (b) S2p, (c,d) c 1s, (e,f) Ti3C2-Sb2S3復合材料和Ti3C2Tx MXene的高分辨率XPS譜圖
 
  
圖5。Ti3C2-Sb2S3復合材料在SIBs中的電化學性能(a) CV測量在0.1 mV s-1在0.01-2.5V。(b) 0.1 A g-1恒電流充放電曲線(c) 0.2 A g-1的短期循環(huán)性能和庫侖效率。(d)速率循環(huán)性能和(e)不同電流密度恒流充放電曲線。(f) 長期循環(huán)性能和1.0 A g-1的庫侖效率。
 
 
  
圖6。(a)低聚Ti3C2Tx MXene, (b) Sb2S3粒子,(c) Ti3C2-Sb2S3復合材料在不同掃描速率下的CV曲線。(d)峰值電流與掃描速率平方根的關系。(e)計算擴散系數。(f)對數陰極峰值電流與對數掃描速率的關系。(g) Ti3C2-Sb2S3復合材料的電容和擴散貢獻。(h)不同掃描速率下電容容量的歸一化貢獻率。
 
  
圖7 (a)循環(huán)前和b)循環(huán)200次后,電流密度為0.2 a g-1。c) Rs和d) Rct的EIS擬合值。
  
        相關科研成果由中南大學Xinghua Chang和青島大學Xingyun Li等人于2021年發(fā)表在Small (DOI: 10.1002/smll.202104293)上。原文:Interfacial Covalent Bonding Endowing Ti3C2-Sb2S3 Composites High Sodium Storage Performance。

轉自《石墨烯研究》公眾號
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