由于缺乏電子帶隙，常規(guī)石墨烯無法實現(xiàn)邏輯電子學中的關閉狀態(tài)。因此，這種特性使得石墨烯一直無法用于下一代場效應晶體管。在這項工作中，我們在6H-SiC臺面結構的側壁上生長了高質(zhì)量的扶手式石墨烯納米帶。角分辨光電子能譜(ARPES)和掃描隧道能譜測量揭示了由量子受限效應驅(qū)動的具有寬度依賴性的半導體帶隙的發(fā)展。此外，ARPES展示了基于石墨烯環(huán)境中實現(xiàn)的理想的一維電子行為，包括分辨良好的子帶組成，沿著和跨越納米帶分別表現(xiàn)為色散和非色散。我們的實驗結果與緊束縛計算相結合，為更深入地探索量子受限現(xiàn)象奠定了基礎，并為新型低功耗電子技術開辟了有趣的途徑。
Fig. 1 在6H-SiC側壁上外延生長的AGNRs的結構特性。
Fig. 2 一維受限AGNE的電子結構。
Fig. 3 費米面。
Fig. 4 電子結構垂直于碳帶方向。
相關研究成果于2020年由開姆尼茨工業(yè)大學Hrag Karakachian第一作者，發(fā)表Nat. Commun.( https://doi.org/10.1038/s41467-020-19051-x)上。原文：One-dimensional confinement and width-dependent bandgap formation in epitaxial graphene nanoribbons。
轉自《石墨烯雜志》公眾號
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