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印度理工學(xué)院Bibhu p. Swain課題組--生物質(zhì)衍生銀修飾石墨烯的電容和傳感響應(yīng)
    這里采用一種新的,簡(jiǎn)便且綠色的方法以制備銀修飾的石墨烯,將其應(yīng)用于傳感器和超級(jí)電容器當(dāng)中。該生物質(zhì)衍生的修飾石墨烯(AgGr)通過(guò)使用APCVD反應(yīng)器制備而來(lái)(反應(yīng)溫度從600到800°C)。通過(guò)AFM,SEM,Raman光譜,F(xiàn)TIR光譜,XRD,循環(huán)伏安法和阻抗等手段對(duì)AgGr樣品進(jìn)行表征。AgGr樣品的層間距為3.6至3.7Å,ID/IG比值0.87至1.52,隨溫度變化而變化。SEM圖顯示銀薄片呈花狀結(jié)構(gòu)分布于石墨烯片中(對(duì)于AgGr-800樣品而言)。而且,AgGr-800表面有更多的活性位點(diǎn)和大量缺陷,使其有利于硝基苯酚檢測(cè),且在1 M H2SO4中實(shí)現(xiàn)最大電容為93.5 F g-1。因此,該新技術(shù)可用于大規(guī)模生產(chǎn)各種金屬修飾石墨烯樣品并將其應(yīng)用于不同領(lǐng)域當(dāng)中。

Figure 1. (a)不同溫度制備得AgGr樣品的AFM圖, (b)SEM圖,(c)AgGr-800樣品的SEM圖,顯示了石墨烯片多孔的特征,且包含了銀納米片。     


Figure 2. 不同溫度制備得AgGr樣品的(a)XRD圖,(b)Raman光譜比較。


Figure 3. AgGr-800和AgGr-600兩種樣品的BET N2吸附/脫附等溫曲線和孔徑尺寸分布情況。


Figure 4. AgGr/GCE電極再不同PNP濃度(1范圍是–10μM)情況下的CV曲線比較。


Figure 5.(a)AgGr-700/GCE電極在不同掃速下的CV曲線,(b)峰電位與掃速的線性關(guān)系。


Figure 6. AgGr/GCE用作電極時(shí),示意圖顯示了濃度對(duì)PNP檢測(cè)的影響。

      該研究工作由印度理工學(xué)院Bibhu p. Swain課題組于2019年發(fā)表在Scientific ReportS期刊上。原文:capacitive and Sensing Responses of Biomass Derived Silver Decorated Graphene(https://doi.org/10.1038/s41598-019-56178-4)
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