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北京科技大學(xué)Boping Zhang課題組--TiO2/CuS異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米線陣列光陽(yáng)極對(duì)水氧化的作用:CuS的作用
       通過(guò)將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為化學(xué)能,光電化學(xué)(PEC)的水分解法是生產(chǎn)清潔氫的一種非常有吸引力的方法。但是,它們的性能受到極差的電荷載流子分離和運(yùn)輸?shù)南拗?。在這項(xiàng)工作中,TiO2/CuS異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米線陣列光陽(yáng)極是通過(guò)用連續(xù)的離子層吸附和反應(yīng)(SILAR)方法裝飾在導(dǎo)電基底上生長(zhǎng)TiO2納米線陣列上的CuS納米團(tuán)簇而制備的。結(jié)果表明,重復(fù)進(jìn)行SILAR程序,CuS含量增加。裝入CuS納米團(tuán)簇后,TiO2納米線陣列光電陽(yáng)極的PEC性能得到增強(qiáng),并且TiO2/CuS-5(即重復(fù)SILAR過(guò)程重復(fù)5次)樣品顯示出最高的光電流密度。PEC活性的提高歸因于增加的光吸收和有效的電荷分離,以及在TiO2納米線陣列上具有最佳的CuS覆蓋率。重要的是,進(jìn)一步的分析顯示,在PEC過(guò)程中,部分CuS還原為Cu2S,表明CuS納米團(tuán)簇主要充當(dāng)轉(zhuǎn)移光生電子的助催化劑。
 
Figure 1. 在FTO襯底上生長(zhǎng)的TiO2/CuS納米線陣列異質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備過(guò)程。
 

Figure 2. (a)在FTO襯底上生長(zhǎng)的TiO2/CuS-x(x = 0、2、5、10和80)納米線陣列異質(zhì)結(jié)構(gòu)的XRD圖譜;(b)部分放大的XRD圖案。
 

Figure 3. (a)TiO2、(b)TiO2/CuS-2、(c)TiO2/CuS-5和(d)TiO2/CuS-10納米線陣列異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SEM圖像;(e)取自TiO2/CuS-10樣品的EDS曲線。


Figure 4. (a)TiO2/CuS-5的HRTEM圖像(插圖顯示了SAED模式);(b)TiO2納米線和(c)CuS納米團(tuán)簇的HRTEM放大圖。
 

Figure 5. (a)在黑暗中和(b)在AM 1.5G光照下獲得的不同光陽(yáng)極的線性掃描伏安曲線;(c)在0 V時(shí)相對(duì)于Ag/AgCl的瞬態(tài)光電流響應(yīng)(插圖顯示了SILAR循環(huán)時(shí)間與光電流密度的關(guān)系圖),以及(d)不同光陽(yáng)極的開(kāi)路電壓曲線;(e)TiO2和TiO2/CuS-5的奈奎斯特圖;(f)在AM 1.5G光照下TiO2/CuS-5的穩(wěn)定性測(cè)試(零偏壓)。
 

Figure 6. TiO2/CuS異質(zhì)結(jié)光電陽(yáng)極的(a)PEC反應(yīng)機(jī)理和(b)能帶結(jié)構(gòu)圖的示意圖。 
          相關(guān)研究成果于2019年由北京科技大學(xué)Boping Zhang課題組,發(fā)表在Applied Surface Science(2019,463,829–837)上。原文:TiO2/CuS heterostructure nanowire array photoanodes toward water oxidation: The role of CuS。
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