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科學(xué)家利用離子注入法在硅表面制造石墨烯

       來(lái)自韓國(guó)大學(xué)的研究人員已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一種簡(jiǎn)單和微電子兼容的方法來(lái)生長(zhǎng)石墨烯，并且公開(kāi)宣布成功在硅基板上合成晶圓級(jí)（直徑為4英寸）、高質(zhì)量和多層的石墨烯。方法是基于一個(gè)離子注入技術(shù)，該過(guò)程中是離子在加速電場(chǎng)下被加速，轟擊半導(dǎo)體基體。受影響的離子被改變了物理、化學(xué)或半導(dǎo)體等的電學(xué)性質(zhì)。

      離子注入技術(shù)在半導(dǎo)體材料中通常用于引入雜質(zhì)。在這個(gè)過(guò)程中，碳離子在一個(gè)電場(chǎng)加速下，被轟擊到一個(gè)分層的表面，該表面由鎳、二氧化硅和硅在500攝氏度的溫度下形成。鎳層具有高溶碳性，被作為催化劑合成石墨烯。


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